在9月24—26日舉行的上海PCIM Asia 2025電子展上，成都高新發(fā)展股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)高新發(fā)展）攜下屬公司森未科技、芯未半導體參展，向市場(chǎng)客戶(hù)全面展示了其在功率半導體芯片設計、特色制造工藝及應用驗證等方面的全鏈條技術(shù)能力。

森未科技高功率密度產(chǎn)品獲關(guān)注

作為國家高新技術(shù)企業(yè)，森未科技攜自主研發(fā)的高功率密度IGBT/SiC系列產(chǎn)品及解決方案亮相，充分展現了在功率半導體領(lǐng)域的研發(fā)實(shí)力。

此次參展的新產(chǎn)品具備高性能、低功耗與高可靠性等特點(diǎn)，可廣泛應用于工控、光伏儲能、新能源汽車(chē)及特種電源等領(lǐng)域，為行業(yè)升級提供關(guān)鍵支撐。期間，憑借高電流密度、低開(kāi)關(guān)損耗等優(yōu)勢，以及完整的產(chǎn)品系列，森未科技產(chǎn)品吸引了眾多海內外客戶(hù)與專(zhuān)家駐足交流，技術(shù)團隊則從技術(shù)演進(jìn)、產(chǎn)品特性、場(chǎng)景應用到落地實(shí)施進(jìn)行了深入講解，為后續合作奠定良好基礎。

值得一提的是，在展會(huì )同期舉辦的國際研討會(huì )上，森未科技發(fā)表題為《Superjunction MOSFET with a Trench Contact and Embedded SiO2 Insulator for Excellent Reverse Recovery》（采用溝槽接觸和嵌入二氧化硅絕緣層的超結MOSFET具備卓越反向恢復特性）的研究報告。該研究報告創(chuàng )新性顯著(zhù)、實(shí)用性強，引發(fā)現場(chǎng)熱烈討論。

隨著(zhù)半導體技術(shù)持續迭代，功率器件正朝著(zhù)更高電壓、更高功率密度方向發(fā)展。而森未科技通過(guò)持續研發(fā)投入及與多家科研院所共建聯(lián)合實(shí)驗室，不斷突破技術(shù)瓶頸，現已成功開(kāi)發(fā)出電壓等級覆蓋650V-1700V、電流等級覆蓋10A-900A的IGBT/SiC系列產(chǎn)品百余款，展現出扎實(shí)的研發(fā)積累與產(chǎn)品化能力。未來(lái)，森未科技將緊跟趨勢，積極推進(jìn)第八代IGBT及SiC產(chǎn)品研發(fā)。

芯未半導體展示一站式代工與中試平臺實(shí)力

作為成都首個(gè)功率半導體代工平臺和規模最大的功率半導體中試平臺，芯未半導體重點(diǎn)展示了“晶圓背面加工—封裝測試—集成組件”的一站式解決方案，成為展會(huì )中國產(chǎn)代工力量的焦點(diǎn)。

展會(huì )期間，芯未半導體技術(shù)團隊通過(guò)動(dòng)態(tài)實(shí)物演示，詳細講解了“從樣品到量產(chǎn)”的全流程服務(wù)，展現了其在縮短研發(fā)周期、降低試錯成本方面的核心價(jià)值，特別是8英寸超薄IGBT晶圓背面加工平臺和高壓大功率模塊高可靠封裝制造平臺，吸引了眾多芯片設計企業(yè)及科研機構的廣泛關(guān)注。

未來(lái)，高新發(fā)展將繼續致力于功率半導體國產(chǎn)化替代，突破關(guān)鍵核心技術(shù)，加速推進(jìn)具有國際競爭力的技術(shù)研發(fā)，以科技創(chuàng )新培育新質(zhì)生產(chǎn)力，為行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展注入持續動(dòng)力。